실험물리 예비/결과 Bipolar Junction Transistor (1) (BJT, 특성곡선, 스위치 회로, 바이어스) Report 실험물리 예비/결과 Bipolar Junction Transistor (1) (BJT, 특성곡선, 스위치 회로, 바이어스)서강대학교 물리학과 실험물리학1의 실험 예비레포트와 결과레포트를 병합하여 올립니다. 해당 과목 A+를 받았습니다.결과보고서는 제가 실험한 데이터로 작성되었습니다. 따라서 이론적인 값과 다소 차이가 있을 수 있지만 오차에 대한 분석이 포함되어 있습니다. 또한 실험의 내용은 담당 조교에 따라 일부 상이할 수 있습니다.본문 내용을 많이 입력하고 싶지만 레포트에 수식이 다수 포함되어 있어 옮기는 것에 한계가 있습니다. 파일 안에는 완벽한 수식처리가 되어있습니다.예비 레포트 (프리 레포트, 예비 보고서)1. 실험 목표2. 이론3. 재료 및 장비4. 실험 방법 (과정)5. 참고 문헌결과 레포트 (결과 보고서)1. 실험 결과 정리 (실험 데이터)2. 분석 및 토의3. 참고 문헌=0일 때 트랜지스터는 실제로는 아주 작은 컬렉터 누설 전류가 흐르기는 하지만 이론상으로는 전류가 흐르지 않는다. BE가 순방향 바이어스 되지 않은 이 상태를 차단(cutoff)상태라고 한다. 이 조건 하에서는 컬렉터와 이미터 사이가 개방된다. BE와 BC가 순방향 바이어스 되면, 트랜지스터는 포화영역에 있다. 이 조건 하에서는 컬렉터와 이미터 사이가 단락된다. 이때 트랜지스터를 따라 발생하는 전압강하는 수mV가 되며, 이것을 포화전압이라 한다. 실험에서도 특정 전압 이상에서는 두 번째 트랜지스터의 가 기준치에 미치지 못해서 개방되는 효과를 갖기 때문에 LED가 꺼졌다. 베이스에 높은 전압이 인가되면 콜렉터는 0V (오차를 감안하면 0.2V정도)가 되어 켜지고, 베이스에 낮은 전압이 인가되면 콜렉터는 높은 전압이 걸리고 전류가 0이 되어 꺼지는 것이다.1.1. 베이스 바이어스 회로=0.7V으로 하였고 , , 이론은 TINA로 얻은 값이다., 이때 =200으로 매뉴얼대로 가정하였다.네 개의 바이어스 회로 중에서 오차율이 큰 회로이다. 이는 가 에 의존하며 이를 200으로 가정하여 사용하였기 때문이다. 가 변하면 와 가 변하여 매우 불안정하기 때문이다. 실제로 선형 회로에서 베이스 바이어스를 거의 사용하지 않는다고 한다. (references 3)
자료 (압축파일).zip
댓글 없음:
댓글 쓰기